Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H099SK3-13
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated

DMN10H099SK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.77 грн
5000+14.99 грн
7500+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMN10H099SK3-13 за ціною від 15.08 грн до 56.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN10H099SK3-13 DMN10H099SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H099SK3.pdf MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.52 грн
10+42.98 грн
100+25.53 грн
500+21.26 грн
1000+18.10 грн
2500+15.16 грн
5000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SK3-13 DMN10H099SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H099SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 71708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.50 грн
10+36.32 грн
100+24.91 грн
500+18.51 грн
1000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H099SK3.pdf DMN10H099SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.