DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 16.41 грн |
| 5000+ | 14.67 грн |
| 7500+ | 14.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN10H099SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMN10H099SK3-13 за ціною від 15.92 грн до 70.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H099SK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H099SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN10H099SK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V |
на замовлення 71708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN10H099SK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC |
на замовлення 7827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN10H099SK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H099SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|