Продукція > DIODES ZETEX > DMN10H120SE-13
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13 Diodes Zetex

201dmn10h120se.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H120SE-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMN10H120SE-13 за ціною від 11.88 грн до 49.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN10H120SE-13 DMN10H120SE-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H120SE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 905000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.26 грн
5000+13.95 грн
12500+12.96 грн
25000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13 DMN10H120SE-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H120SE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 905640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.25 грн
10+37.23 грн
100+25.91 грн
500+18.98 грн
1000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13 DMN10H120SE-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H120SE.pdf MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.40 грн
10+41.44 грн
100+25.10 грн
500+19.60 грн
1000+15.93 грн
2500+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13 DMN10H120SE-13 Виробник : Diodes Inc 201dmn10h120se.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H120SE.pdf DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.