DMN10H170SFDE-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.89 грн |
| 6000+ | 10.28 грн |
| 9000+ | 10.08 грн |
| 15000+ | 9.14 грн |
| 21000+ | 9.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN10H170SFDE-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.03W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN10H170SFDE-7 за ціною від 10.64 грн до 50.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H170SFDE-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN10H170SFDE-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H170SFDE-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN10H170SFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W |
на замовлення 2847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H170SFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V |
на замовлення 254843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H170SFDE-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMN10H170SFDE-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 10A; 1.31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.31W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.7nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMN10H170SFDE-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 10A; 1.31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.31W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.7nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |