Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H170SFDE-7
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7 Diodes Incorporated

DMN10H170SFDE.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.33 грн
6000+10.70 грн
9000+10.49 грн
15000+9.51 грн
21000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H170SFDE-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.03W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN10H170SFDE-7 за ціною від 11.07 грн до 52.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE-7 Виробник : Diodes Zetex dmn10h170sfde.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE-7 Виробник : DIODES INC. DMN10H170SFDE.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.85 грн
500+15.59 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE-7 Виробник : DIODES INC. DMN10H170SFDE.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.32 грн
28+31.18 грн
100+21.85 грн
500+15.59 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011090836_1-2543686.pdf MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.68 грн
10+37.50 грн
100+22.83 грн
500+17.56 грн
1000+14.89 грн
3000+11.30 грн
6000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H170SFDE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 254843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.87 грн
10+33.09 грн
100+21.97 грн
500+15.87 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE-7 Виробник : Diodes Zetex dmn10h170sfde.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.