DMN10H170SFDE-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.66 грн |
| 6000+ | 10.06 грн |
| 9000+ | 9.86 грн |
| 15000+ | 8.94 грн |
| 21000+ | 8.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN10H170SFDE-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 2.03W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm.
Інші пропозиції DMN10H170SFDE-7 за ціною від 13.43 грн до 49.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 254843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W |
на замовлення 2847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMN10H170SFDE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 2.03W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMN10H170SFDE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 2.03W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN10H170SFDE-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.65 грн |
| DMN10H170SFDE-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 254843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.70 грн |
| 10+ | 31.11 грн |
| 100+ | 20.66 грн |
| 500+ | 14.92 грн |
| 1000+ | 13.43 грн |
| DMN10H170SFDE-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN10H170SFDE-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN10H170SFDE-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)