DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 14.92 грн |
| 6000+ | 13.44 грн |
| 10000+ | 12.52 грн |
| 50000+ | 10.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN10H170SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.099 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940mW, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN10H170SFG-7 за ціною від 11.73 грн до 47.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H170SFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H170SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.099 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H170SFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H170SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.099 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H170SFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V |
на замовлення 51045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN10H170SFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss |
на замовлення 1486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN10H170SFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN10H170SFG-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |