Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H170SFG-7
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated

DMN10H170SFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+14.58 грн
6000+13.14 грн
10000+12.23 грн
50000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 940mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN10H170SFG-7 за ціною від 12.87 грн до 46.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN10H170SFG-7 DMN10H170SFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H170SFG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 51045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.38 грн
10+33.95 грн
25+31.70 грн
100+23.81 грн
250+22.11 грн
500+18.71 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7 DMN10H170SFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DIODS20210_1-2541739.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.26 грн
10+36.55 грн
100+23.62 грн
500+20.01 грн
1000+15.45 грн
2000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H170SFG.pdf DMN10H170SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.