Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H170SFGQ-7
DMN10H170SFGQ-7

DMN10H170SFGQ-7 Diodes Incorporated

DMN10H170SFGQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H170SFGQ-7 Diodes Incorporated

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI 3333 T/R Транзистори.

Інші пропозиції DMN10H170SFGQ-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN10H170SFGQ-7 Diodes DMN10H170SFGQ.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI 3333 T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFGQ-7 DMN10H170SFGQ-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363631_1-2543076.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFGQ-7 DMN10H170SFGQ.pdf
Виробник: Diodes
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI 3333 T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFGQ-7 DIOD_S_A0008363631_1-2543076.pdf
DMN10H170SFGQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.