Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H170SK3-13
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated

DMN10H170SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.18 грн
7500+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN10H170SK3-13 за ціною від 15.72 грн до 84.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0001166602_1-2541915.pdf MOSFETs 100V N-CH MOSFET 100V 12A
на замовлення 23217 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+46.52 грн
10+40.32 грн
100+19.11 грн
500+16.40 грн
1000+16.03 грн
2500+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated DMN10H170SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 37800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.90 грн
10+50.81 грн
25+42.58 грн
50+35.14 грн
100+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3-13 DIODES INC. DMN10H170SK3.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3-13 DIODES INC. DMN10H170SK3.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DIOD_S_A0001166602_1-2541915.pdf
DMN10H170SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-CH MOSFET 100V 12A
на замовлення 23217 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.52 грн
10+40.32 грн
100+19.11 грн
500+16.40 грн
1000+16.03 грн
2500+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3.pdf
DMN10H170SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 37800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.90 грн
10+50.81 грн
25+42.58 грн
50+35.14 грн
100+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3.pdf
DMN10H170SK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3.pdf
DMN10H170SK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.