Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H170SK3-13
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated

DMN10H170SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.75 грн
5000+15.71 грн
7500+15.01 грн
12500+13.35 грн
17500+12.91 грн
25000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN10H170SK3-13 за ціною від 14.70 грн до 74.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3-13 DIODES INC. DMN10H170SK3.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.77 грн
500+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0001166602_1-2541915.pdf MOSFETs 100V N-CH MOSFET 100V 12A
на замовлення 23217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.48 грн
10+37.69 грн
100+17.86 грн
500+15.33 грн
1000+14.98 грн
2500+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated DMN10H170SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 121882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.41 грн
10+42.51 грн
100+27.75 грн
500+20.05 грн
1000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3-13 DIODES INC. DMN10H170SK3.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.83 грн
18+47.09 грн
100+30.77 грн
500+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3.pdf
DMN10H170SK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.77 грн
500+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DIOD_S_A0001166602_1-2541915.pdf
DMN10H170SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-CH MOSFET 100V 12A
на замовлення 23217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.48 грн
10+37.69 грн
100+17.86 грн
500+15.33 грн
1000+14.98 грн
2500+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3.pdf
DMN10H170SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 121882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.41 грн
10+42.51 грн
100+27.75 грн
500+20.05 грн
1000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3.pdf
DMN10H170SK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+74.83 грн
18+47.09 грн
100+30.77 грн
500+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.