Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H170SVT-7
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7 Diodes Incorporated

DMN10H170SVT.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 873000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.43 грн
6000+10.63 грн
9000+10.25 грн
15000+9.58 грн
21000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H170SVT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN10H170SVT-7 за ціною від 10.52 грн до 40.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN10H170SVT-7 DMN10H170SVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H170SVT.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 877630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
11+29.43 грн
100+20.56 грн
500+14.99 грн
1000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7 DMN10H170SVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0000496171_1-2541971.pdf MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
на замовлення 43217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.77 грн
11+31.39 грн
100+18.61 грн
500+14.64 грн
1000+13.10 грн
3000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H170SVT.pdf DMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.