Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H170SVT-7
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7 Diodes Incorporated

DMN10H170SVT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 873000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.06 грн
6000+10.28 грн
9000+9.91 грн
15000+9.27 грн
21000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H170SVT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TSOT-26, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN10H170SVT-7 за ціною від 13.05 грн до 34.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN10H170SVT-7 DMN10H170SVT-7 Diodes Incorporated DMN10H170SVT.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 877630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.64 грн
11+28.46 грн
100+19.89 грн
500+14.50 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7 DMN10H170SVT-7 Diodes Incorporated DMN10H170SVT.pdf MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
на замовлення 42345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7 DMN10H170SVT.pdf
DMN10H170SVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 877630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.64 грн
11+28.46 грн
100+19.89 грн
500+14.50 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7 DMN10H170SVT.pdf
DMN10H170SVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
на замовлення 42345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.