Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H170SVTQ-7
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7 Diodes Incorporated

DMN10H170SVTQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.22 грн
10+ 35.52 грн
100+ 26.51 грн
500+ 19.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H170SVTQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN10H170SVTQ-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN10H170SVTQ-7 DMN10H170SVTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002833563_1-2542112.pdf MOSFET 100V N-Ch Enh FET 160mOhm 10Vgs 2.6A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMN10H170SVTQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H170SVTQ.pdf DMN10H170SVTQ-7 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN10H170SVTQ-7 DMN10H170SVTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H170SVTQ.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
товар відсутній