DMN10H220L-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.11 грн |
| 6000+ | 8.56 грн |
| 9000+ | 8.49 грн |
| 15000+ | 7.86 грн |
| 30000+ | 7.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN10H220L-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN10H220L-7 за ціною від 6.92 грн до 29.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H220L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H220L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 582000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H220L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H220L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN10H220L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H220L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H220L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 34528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H220L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H220L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN10H220L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 On-state resistance: 0.22Ω Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.3W Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 100V |
на замовлення 2532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN10H220L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W |
на замовлення 96908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H220L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V |
на замовлення 46272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H220L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 On-state resistance: 0.22Ω Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.3W Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2532 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H220L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 34528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H220L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN10H220L-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |