DMN10H220LE-13 Diodes Zetex
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 15.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN10H220LE-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 14W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN10H220LE-13 за ціною від 13.50 грн до 46.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H220LE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN10H220LE-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN10H220LE-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN10H220LE-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 14W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN10H220LE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V |
на замовлення 28654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN10H220LE-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 14W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN10H220LE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs FET BVDSS 61V 100V N-Ch 3A 401pF 8.3nC |
на замовлення 8411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN10H220LE-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMN10H220LE-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMN10H220LE-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMN10H220LE-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN10H220LE-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |