DMN10H220LFDF-13

DMN10H220LFDF-13 Diodes Incorporated


DMN10H220LFDF.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
на замовлення 7628 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.19 грн
10+36.62 грн
100+20.21 грн
500+12.53 грн
1000+9.21 грн
2500+8.24 грн
5000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H220LFDF-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN10H220LFDF-13 за ціною від 6.06 грн до 6.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN10H220LFDF-13 Виробник : Diodes Zetex DMN10H220LFDF.pdf DMN10H220LFDF-13
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-13 DMN10H220LFDF-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H220LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.