Технічний опис DMN10H220LFDF-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMN10H220LFDF-7 за ціною від 5.24 грн до 34.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN10H220LFDF-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMN10H220LFDF-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMN10H220LFDF-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMN10H220LFDF-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMN10H220LFDF-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V |
на замовлення 69320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMN10H220LFDF-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.75 грн |
| 6000+ | 6.78 грн |
| 9000+ | 6.43 грн |
| 15000+ | 5.67 грн |
| 21000+ | 5.45 грн |
| 30000+ | 5.24 грн |
| DMN10H220LFDF-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin UDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.56 грн |
| 6000+ | 9.30 грн |
| DMN10H220LFDF-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin UDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.63 грн |
| 6000+ | 9.38 грн |
| DMN10H220LFDF-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.54 грн |
| 16+ | 20.87 грн |
| 100+ | 11.53 грн |
| 500+ | 8.93 грн |
| 1000+ | 8.02 грн |
| 3000+ | 6.12 грн |
| DMN10H220LFDF-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 69320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.81 грн |
| 15+ | 20.80 грн |
| 100+ | 13.20 грн |
| 500+ | 9.28 грн |
| 1000+ | 8.28 грн |




