Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H220LFVW-7

DMN10H220LFVW-7 Diodes Incorporated

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	77.07 грн
10+	52.44 грн
100+	28.84 грн
500+	17.81 грн
1000+	13.20 грн
2000+	9.08 грн
4000+	7.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMN10H220LFVW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMN10H220LFVW-7

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	DMN10H220LFVW-7	Виробник : Diodes Incorporated	Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	DMN10H220LFVW-7	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 44A; 2.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 2.4W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.