на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 8.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN10H220LFVW-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN10H220LFVW-7 за ціною від 7.55 грн до 46.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H220LFVW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN10H220LFVW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN10H220LFVW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN10H220LFVW-7 | Виробник : Diodes Inc |
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMN10H220LFVW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN10H220LFVW-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMN10H220LFVW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K |
товару немає в наявності |