Продукція > DIODES ZETEX > DMN10H220LK3-13
DMN10H220LK3-13

DMN10H220LK3-13 Diodes Zetex

dmn10h220lk3.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H220LK3-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 18.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN10H220LK3-13 за ціною від 9.10 грн до 53.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H220LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.81 грн
5000+10.25 грн
7500+10.21 грн
12500+9.28 грн
17500+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009645261-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.40 грн
500+14.62 грн
1000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009645261-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.44 грн
28+30.90 грн
100+20.40 грн
500+14.62 грн
1000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009645261_1-2543337.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.85 грн
11+33.32 грн
100+20.15 грн
500+15.39 грн
1000+13.05 грн
2500+10.41 грн
5000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H220LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 23768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.87 грн
10+31.91 грн
100+20.50 грн
500+14.62 грн
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H220LK3.pdf DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.09 грн
81+13.68 грн
223+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 Виробник : Diodes Zetex dmn10h220lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13 Виробник : Diodes Inc dmn10h220lk3.pdf High Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.