Продукція > DIODES ZETEX > DMN10H220LPDW-13
DMN10H220LPDW-13

DMN10H220LPDW-13 Diodes Zetex

dmn10h220lpdw.pdf Виробник: Diodes Zetex
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H220LPDW-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN10H220LPDW-13 за ціною від 12.35 грн до 63.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H220LPDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 8A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.48 грн
5000+14.57 грн
7500+13.90 грн
12500+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009600112-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.90 грн
500+28.66 грн
1000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009600112_1-2543253.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS61V-100V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.65 грн
10+39.85 грн
100+28.25 грн
500+25.68 грн
1000+21.33 грн
2500+13.46 грн
10000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009600112-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.05 грн
21+40.11 грн
100+35.90 грн
500+28.66 грн
1000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : Diodes Zetex dmn10h220lpdw.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 Виробник : Diodes Inc dmn10h220lpdw.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H220LPDW.pdf DMN10H220LPDW-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.