Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H220LPDW-13
DMN10H220LPDW-13

DMN10H220LPDW-13 Diodes Incorporated

DMN10H220LPDW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V 8A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.38 грн
5000+12.71 грн
7500+12.13 грн
12500+10.77 грн
17500+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H220LPDW-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.222 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.222ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN10H220LPDW-13 за ціною від 11.91 грн до 88.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : Diodes Zetex dmn10h220lpdw.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : Diodes Zetex dmn10h220lpdw.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : Diodes Zetex dmn10h220lpdw.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009600112-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.222 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.222ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.22 грн
500+32.92 грн
1000+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009600112-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.222 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.222ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+81.57 грн
15+54.44 грн
100+48.22 грн
500+32.92 грн
1000+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H220LPDW.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS61V-100V
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.84 грн
10+58.99 грн
100+40.01 грн
500+31.91 грн
1000+21.32 грн
2500+12.95 грн
5000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : Diodes Zetex dmn10h220lpdw.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H220LPDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.4A; Idm: 32A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.4A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.