Продукція > DIODES ZETEX > DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13 Diodes Zetex

Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMN10H220LQ-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN10H220LQ-13

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
DMN10H220LQ-13	Виробник : Diodes Incorporated	Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
DMN10H220LQ-13	Виробник : Diodes Incorporated	Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
DMN10H220LQ-13	Виробник : Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 10K	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
DMN10H220LQ-13	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Gate charge: 4.1nC Application: automotive industry	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.