Продукція > DIODES ZETEX > DMN10H220LQ-7
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7 Diodes Zetex

122dmn10h220lq.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H220LQ-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN10H220LQ-7 за ціною від 3.83 грн до 29.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 Виробник : Diodes Zetex 122dmn10h220lq.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H220LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.34 грн
6000+4.78 грн
9000+4.45 грн
15000+4.00 грн
21000+3.99 грн
30000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.54 грн
113+7.55 грн
500+6.67 грн
1000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+21.94 грн
59+14.54 грн
113+7.55 грн
500+6.67 грн
1000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3DB375F3E4040C4&compId=DMN10H220LQ-7.pdf?ci_sign=30362d1a88b713f7a86b6972c855a914d4a5c4fd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.66 грн
20+19.74 грн
24+16.90 грн
32+12.48 грн
100+7.34 грн
159+5.84 грн
435+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H220LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.70 грн
19+17.21 грн
100+8.20 грн
500+6.84 грн
1000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H220LQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K
на замовлення 126035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.92 грн
20+17.69 грн
100+8.19 грн
500+6.90 грн
1000+6.37 грн
3000+4.62 грн
6000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3DB375F3E4040C4&compId=DMN10H220LQ-7.pdf?ci_sign=30362d1a88b713f7a86b6972c855a914d4a5c4fd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.59 грн
12+24.60 грн
15+20.28 грн
25+14.97 грн
100+8.81 грн
159+7.01 грн
435+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 Виробник : Diodes Inc 122dmn10h220lq.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 Виробник : Diodes Zetex 122dmn10h220lq.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.