Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7 Diodes Incorporated

Name: DMN10H220LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 138485-4
Price: 378.30 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	63.05 грн
10+	38.63 грн
100+	21.79 грн
500+	16.69 грн
1000+	15.01 грн
3000+	12.85 грн
6000+	11.80 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMN10H220LVT-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.67W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN10H220LVT-7

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	DMN10H220LVT-7	Виробник : DIODES INC.	Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	DMN10H220LVT-7	Виробник : DIODES INC.	Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.