Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7 Diodes Incorporated

Name: DMN10H220LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 138485-4
Price: 374.22 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	62.37 грн
10+	38.21 грн
100+	21.55 грн
500+	16.51 грн
1000+	14.85 грн
3000+	12.71 грн
6000+	11.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMN10H220LVT-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.67W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN10H220LVT-7

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
DMN10H220LVT-7	Виробник : DIODES INC.	Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
DMN10H220LVT-7	Виробник : DIODES INC.	Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
DMN10H220LVT-7	Виробник : Diodes Zetex	Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
DMN10H220LVT-7	Виробник : Diodes	MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT-26 Група товару: Транзистори Од. вим: шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMN10H220LVT-7	Виробник : Diodes Incorporated	Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
DMN10H220LVT-7	Виробник : Diodes Incorporated	Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
DMN10H220LVT-7	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.79A; Idm: 6.6A; 1.07W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.79A Pulsed drain current: 6.6A Power dissipation: 1.07W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.