Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H700S-7
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7 Diodes Incorporated

DMN10H700S.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.22 грн
6000+5.39 грн
15000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H700S-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN10H700S-7 за ціною від 5.34 грн до 33.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN10H700S-7 DMN10H700S-7 DIODES INC. DMN10H700S.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.16 грн
500+7.62 грн
1500+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7 DMN10H700S-7 DIODES INC. DMN10H700S.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.04 грн
50+17.64 грн
100+11.16 грн
500+7.62 грн
1500+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7 DMN10H700S-7 Diodes Incorporated DMN10H700S.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 31696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.23 грн
13+23.92 грн
100+13.56 грн
500+8.43 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7 DMN10H700S-7 Diodes Incorporated DMN10H700S.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 24790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.97 грн
14+24.10 грн
100+12.38 грн
500+8.23 грн
1000+6.26 грн
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7 DMN10H700S.pdf
DMN10H700S-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.16 грн
500+7.62 грн
1500+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7 DMN10H700S.pdf
DMN10H700S-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.04 грн
50+17.64 грн
100+11.16 грн
500+7.62 грн
1500+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7 DMN10H700S.pdf
DMN10H700S-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 31696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.23 грн
13+23.92 грн
100+13.56 грн
500+8.43 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7 DMN10H700S.pdf
DMN10H700S-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 24790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.97 грн
14+24.10 грн
100+12.38 грн
500+8.23 грн
1000+6.26 грн
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.