Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN1150UFB-7B
DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated

DMN1150UFB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.97 грн
20000+3.79 грн
30000+3.73 грн
50000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN1150UFB-7B за ціною від 3.83 грн до 32.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN1150UFB-7B DMN1150UFB-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN1150UFB.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V
на замовлення 79457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.66 грн
23+14.43 грн
100+6.38 грн
500+5.46 грн
1000+4.43 грн
2000+4.23 грн
5000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFB-7B DMN1150UFB-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN1150UFB.pdf MOSFETs N-CH MOSFET 12V
на замовлення 18394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+32.41 грн
19+18.66 грн
100+6.96 грн
1000+5.28 грн
2500+4.67 грн
10000+3.98 грн
20000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFB-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN1150UFB.pdf DMN1150UFB-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.