
DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 26.57 грн |
6000+ | 23.74 грн |
9000+ | 23.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 660mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-QFN1515-12, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMN1250UFEL-7 за ціною від 22.88 грн до 102.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN1250UFEL-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 2836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN1250UFEL-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 660mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-QFN1515-12 Part Status: Active |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN1250UFEL-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |