DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 25.75 грн |
| 6000+ | 23.01 грн |
| 9000+ | 22.45 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN1250UFEL-7 - Dual-MOSFET, Dreifach n-Kanal, 12 V, 12 V, 2 A, 2 A, 0.45 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: U-QFN1515, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Dreifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DMN1250UFEL-7 за ціною від 22.67 грн до 117.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN1250UFEL-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 660mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-QFN1515-12 Part Status: Active |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN1250UFEL-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss |
на замовлення 2559 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN1250UFEL-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1250UFEL-7 - Dual-MOSFET, Dreifach n-Kanal, 12 V, 12 V, 2 A, 2 A, 0.45 ohmtariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: U-QFN1515 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Dreifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DMN1250UFEL-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1250UFEL-7 - Dual-MOSFET, Dreifach n-Kanal, 12 V, 12 V, 2 A, 2 A, 0.45 ohmtariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: U-QFN1515 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Dreifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN1250UFEL-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 99.50 грн |
| 10+ | 60.24 грн |
| 100+ | 39.90 грн |
| 500+ | 29.26 грн |
| 1000+ | 26.62 грн |
| DMN1250UFEL-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss
MOSFETs 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.74 грн |
| 10+ | 66.61 грн |
| 100+ | 38.47 грн |
| 500+ | 32.32 грн |
| 1000+ | 28.08 грн |
| 3000+ | 23.77 грн |
| 6000+ | 22.67 грн |
| DMN1250UFEL-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1250UFEL-7 - Dual-MOSFET, Dreifach n-Kanal, 12 V, 12 V, 2 A, 2 A, 0.45 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-QFN1515
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMN1250UFEL-7 - Dual-MOSFET, Dreifach n-Kanal, 12 V, 12 V, 2 A, 2 A, 0.45 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-QFN1515
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN1250UFEL-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1250UFEL-7 - Dual-MOSFET, Dreifach n-Kanal, 12 V, 12 V, 2 A, 2 A, 0.45 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-QFN1515
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMN1250UFEL-7 - Dual-MOSFET, Dreifach n-Kanal, 12 V, 12 V, 2 A, 2 A, 0.45 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-QFN1515
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




