DMN1260UFA-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.86 грн |
| 20000+ | 3.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1260UFA-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN1260UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 500 mA, 0.15 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMN1260UFA-7B за ціною від 3.12 грн до 26.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN1260UFA-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1260UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 500 mA, 0.15 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1260UFA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V |
на замовлення 23779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN1260UFA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC |
на замовлення 15467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1260UFA-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1260UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 500 mA, 0.15 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN1260UFA-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.36W Case: X2-DFN0806-3 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 960pC Drain current: 0.5A On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A Drain-source voltage: 12V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |