Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN12M7UCA10-7
DMN12M7UCA10-7

DMN12M7UCA10-7 Diodes Incorporated

DMN12M7UCA10.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN12M7UCA10-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: X4-DSN3015, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN12M7UCA10-7 за ціною від 19.69 грн до 96.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10-7 DIODES INC. DMN12M7UCA10.pdf Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.53 грн
500+26.97 грн
1000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10-7 Diodes Incorporated DMN12M7UCA10.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
на замовлення 9670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.04 грн
10+56.45 грн
100+39.11 грн
500+30.67 грн
1000+26.10 грн
2000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10-7 Diodes Incorporated DMN12M7UCA10.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K
на замовлення 4808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.81 грн
10+60.17 грн
100+34.74 грн
500+27.01 грн
1000+23.56 грн
2500+22.72 грн
5000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10-7 DIODES INC. DMN12M7UCA10.pdf Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.81 грн
14+61.04 грн
100+40.53 грн
500+26.97 грн
1000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10.pdf
DMN12M7UCA10-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.53 грн
500+26.97 грн
1000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10.pdf
DMN12M7UCA10-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
на замовлення 9670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.04 грн
10+56.45 грн
100+39.11 грн
500+30.67 грн
1000+26.10 грн
2000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10.pdf
DMN12M7UCA10-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K
на замовлення 4808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.81 грн
10+60.17 грн
100+34.74 грн
500+27.01 грн
1000+23.56 грн
2500+22.72 грн
5000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10.pdf
DMN12M7UCA10-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.81 грн
14+61.04 грн
100+40.53 грн
500+26.97 грн
1000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.