DMN12M8UCA10-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN3015-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.4nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.29 грн |
| 10+ | 43.06 грн |
| 100+ | 28.21 грн |
| 500+ | 20.49 грн |
| 1000+ | 18.57 грн |
| 2000+ | 16.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN12M8UCA10-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN3015-10, Packaging: Bulk, Package / Case: 10-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.4nC @ 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA, Supplier Device Package: X4-DSN3015-10.
Інші пропозиції DMN12M8UCA10-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN12M8UCA10-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN12M8UCA10-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)