Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN13H750S-13

DMN13H750S-13 Diodes Incorporated

Name: DMN13H750S-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 5131440-3
Price: 127600.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10000+	12.76 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMN13H750S-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN13H750S-13

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
DMN13H750S-13	Виробник : Diodes Zetex	Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMN13H750S-13	Виробник : Diodes Inc	Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMN13H750S-13	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 130V; 1A; Idm: 3.3A; 1.26W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 130V Drain current: 1A Pulsed drain current: 3.3A Power dissipation: 1.26W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMN13H750S-13	Виробник : Diodes Incorporated	MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMN13H750S-13	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 130V; 1A; Idm: 3.3A; 1.26W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 130V Drain current: 1A Pulsed drain current: 3.3A Power dissipation: 1.26W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.