DMN13H750S-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.77 грн |
| 6000+ | 12.59 грн |
| 9000+ | 11.69 грн |
| 30000+ | 10.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN13H750S-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 130V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 770mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN13H750S-7 за ціною від 11.47 грн до 41.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN13H750S-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 130V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN13H750S-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 130V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN13H750S-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss |
на замовлення 13957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN13H750S-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V |
на замовлення 147502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN13H750S-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMN13H750S-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMN13H750S-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMN13H750S-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 130V; 1A; Idm: 3.3A; 1.26W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 130V Drain current: 1A Pulsed drain current: 3.3A Power dissipation: 1.26W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.6nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMN13H750S-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 130V; 1A; Idm: 3.3A; 1.26W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 130V Drain current: 1A Pulsed drain current: 3.3A Power dissipation: 1.26W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.6nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |