Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN15H310SE-13
DMN15H310SE-13

DMN15H310SE-13 Diodes Incorporated

DMN15H310SE.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
на замовлення 475000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN15H310SE-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN15H310SE-13 за ціною від 29.33 грн до 105.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN15H310SE-13 DMN15H310SE-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN15H310SE.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
на замовлення 482282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.85 грн
10+65.69 грн
100+45.98 грн
500+34.87 грн
1000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13 DMN15H310SE-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN15H310SE.pdf MOSFETs 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A
на замовлення 3201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.23 грн
10+72.26 грн
100+48.28 грн
500+38.13 грн
1000+34.87 грн
2500+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN15H310SE.pdf DMN15H310SE-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.