DMN2004DMK-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.55 грн |
| 6000+ | 10.17 грн |
| 9000+ | 9.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2004DMK-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 225mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMN2004DMK-7 за ціною від 8.16 грн до 49.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs Dual N-Channel |
на замовлення 18365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 225mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active |
на замовлення 14579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMN2004DMK-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Channel
MOSFETs Dual N-Channel
на замовлення 18365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.00 грн |
| 12+ | 27.90 грн |
| 100+ | 16.46 грн |
| 500+ | 10.06 грн |
| 1000+ | 8.93 грн |
| 3000+ | 8.16 грн |
| DMN2004DMK-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 14579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.84 грн |
| 11+ | 29.71 грн |
| 100+ | 19.08 грн |
| 500+ | 13.60 грн |
| 1000+ | 12.20 грн |