на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2004DWK-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMN2004DWK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 200mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 200mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN2004DWK-7 за ціною від 7.06 грн до 51.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2004DWK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2004DWK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2004DWK-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2004DWK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2004DWK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2004DWK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Dual N-Channel |
на замовлення 2652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2004DWK-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2004DWK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2004DWK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
DMN2004DWK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
DMN2004DWK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMN2004DWK-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.39A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.95nC |
товару немає в наявності |