DMN2004DWKQ-7 Diodes Zetex
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.65 грн |
| 6000+ | 8.40 грн |
| 9000+ | 7.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2004DWKQ-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN2004DWKQ-7 за ціною від 6.83 грн до 46.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2004DWKQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2004DWKQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 2045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2004DWKQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN2004DWKQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN2004DWKQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN2004DWKQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN2004DWKQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.39A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate charge: 0.95nC |
товару немає в наявності |