на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2004K-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN2004K-7 за ціною від 3.86 грн до 33.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2004K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2004K-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V |
на замовлення 1305000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2004K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2004K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2004K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2004K-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 34154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2004K-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V 540mA |
на замовлення 35486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2004K-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2004K-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V |
на замовлення 1305949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2004K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2004K-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2004K-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 38272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2004K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |