DMN2004K-7

DMN2004K-7 Diodes Zetex


ds30938.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2004K-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції DMN2004K-7 за ціною від 3.96 грн до 28.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Zetex ds30938.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2004K.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.58 грн
6000+ 5.25 грн
9000+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Zetex ds30938.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Zetex ds30938.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013121019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.37 грн
500+ 8.05 грн
1000+ 5.89 грн
5000+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2004K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+12.74 грн
55+ 6.33 грн
100+ 5.64 грн
165+ 4.82 грн
455+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2004K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.29 грн
35+ 7.89 грн
100+ 6.77 грн
165+ 5.78 грн
455+ 5.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Incorporated DIODS20155_1-2512485.pdf MOSFET 20V 540mA
на замовлення 82550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.35 грн
20+ 15.65 грн
100+ 5.81 грн
1000+ 4.95 грн
3000+ 4.43 грн
9000+ 4.03 грн
24000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2004K.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 24700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.72 грн
16+ 17.27 грн
100+ 8.7 грн
500+ 7.23 грн
1000+ 5.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Zetex ds30938.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+26.03 грн
30+ 19.74 грн
100+ 12.29 грн
Мінімальне замовлення: 23
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013121019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+28.53 грн
35+ 21.41 грн
100+ 12.37 грн
500+ 8.05 грн
1000+ 5.89 грн
5000+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 26
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Zetex ds30938.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Inc 84ds30938.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній