Продукція > DIODES INC > DMN2004K-7
DMN2004K-7

DMN2004K-7 Diodes Inc

84ds30938.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2004K-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN2004K-7 за ціною від 3.87 грн до 34.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Zetex ds30938.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2004K.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 1305000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.48 грн
6000+5.13 грн
9000+4.68 грн
15000+4.37 грн
21000+4.36 грн
30000+4.20 грн
75000+3.88 грн
150000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Zetex ds30938.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Zetex ds30938.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Zetex ds30938.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : DIODES INC. DMN2004K.pdf Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.82 грн
1500+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Incorporated DIODS20155_1-2512485.pdf MOSFETs 20V 540mA
на замовлення 35486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.88 грн
23+15.60 грн
100+6.67 грн
1000+5.68 грн
3000+4.93 грн
9000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F976E61C49E748&compId=DMN2004K.pdf?ci_sign=82eaae16cd30e837359bc5999ad3bf63810b124a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.51 грн
21+19.11 грн
25+16.11 грн
50+10.25 грн
100+8.52 грн
202+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2004K.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 1305949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.34 грн
21+15.55 грн
100+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F976E61C49E748&compId=DMN2004K.pdf?ci_sign=82eaae16cd30e837359bc5999ad3bf63810b124a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.61 грн
13+23.81 грн
15+19.33 грн
50+12.30 грн
100+10.22 грн
202+5.55 грн
553+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Zetex ds30938.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+31.16 грн
30+23.63 грн
100+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : DIODES INC. 4553118.pdf Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.10 грн
50+17.09 грн
100+9.18 грн
500+8.45 грн
1500+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Виробник : Diodes Zetex ds30938.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.