Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2004WKQ-7
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7 Diodes Incorporated

DMN2004WKQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8319000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.02 грн
6000+6.20 грн
9000+5.91 грн
15000+5.24 грн
21000+5.06 грн
30000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2004WKQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2004WKQ-7 за ціною від 5.89 грн до 28.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2004WKQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8319914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.12 грн
19+16.66 грн
100+11.25 грн
500+8.17 грн
1000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2004WKQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.70 грн
19+18.74 грн
100+8.53 грн
1000+7.70 грн
3000+6.04 грн
9000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7 Виробник : Diodes Inc 2743dmn2004wkq.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2004WKQ.pdf DMN2004WKQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.