DMN2004WKQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8319000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.85 грн |
| 6000+ | 6.05 грн |
| 9000+ | 5.77 грн |
| 15000+ | 5.11 грн |
| 21000+ | 4.94 грн |
| 30000+ | 4.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2004WKQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN2004WKQ-7 за ціною від 5.74 грн до 27.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2004WKQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8319914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2004WKQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 1571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN2004WKQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
DMN2004WKQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.39A On-state resistance: 0.9Ω Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMN2004WKQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.39A On-state resistance: 0.9Ω Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A |
товару немає в наявності |