Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2005LP4K-7
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7 Diodes Incorporated

ds30799.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.98 грн
6000+6.10 грн
9000+5.79 грн
15000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2005LP4K-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V.

Інші пропозиції DMN2005LP4K-7 за ціною від 7.69 грн до 32.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN2005LP4K-7 DMN2005LP4K-7 Diodes Incorporated ds30799.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V
на замовлення 15772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
16+19.40 грн
100+12.26 грн
500+8.62 грн
1000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7 DMN2005LP4K-7 Diodes Incorporated ds30799.pdf MOSFETs 20V 300mA
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7 ds30799.pdf
DMN2005LP4K-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V
на замовлення 15772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.14 грн
16+19.40 грн
100+12.26 грн
500+8.62 грн
1000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7 ds30799.pdf
DMN2005LP4K-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V 300mA
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.