Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2005UFG-13
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13 Diodes Incorporated

DMN2005UFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 525000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.36 грн
6000+13.48 грн
9000+13.27 грн
15000+12.22 грн
21000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2005UFG-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN2005UFG-13 за ціною від 14.47 грн до 34.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN2005UFG-13 DMN2005UFG-13 Diodes Incorporated DMN2005UFG.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 527721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.87 грн
11+27.98 грн
100+20.36 грн
500+17.70 грн
1000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13 DMN2005UFG-13 Diodes Incorporated DMN2005UFG.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13 DMN2005UFG.pdf
DMN2005UFG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 527721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.87 грн
11+27.98 грн
100+20.36 грн
500+17.70 грн
1000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13 DMN2005UFG.pdf
DMN2005UFG-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.