DMN2005UFG-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.56 грн |
| 6000+ | 13.66 грн |
| 9000+ | 13.45 грн |
| 15000+ | 12.39 грн |
| 21000+ | 12.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2005UFG-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMN2005UFG-13 за ціною від 14.67 грн до 95.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2005UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 527721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2005UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W |
на замовлення 3663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|