DMN2005UFG-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
на замовлення 525000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.54 грн |
| 6000+ | 13.64 грн |
| 9000+ | 13.43 грн |
| 15000+ | 12.37 грн |
| 21000+ | 12.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2005UFG-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.05W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN2005UFG-13 за ціною від 12.48 грн до 50.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2005UFG-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 522000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2005UFG-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.05W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2005UFG-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.05W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2005UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V |
на замовлення 527721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2005UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W |
на замовлення 3663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2005UFG-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN2005UFG-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMN2005UFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 130A Drain current: 40A Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.7mΩ Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 1.05W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI®3333-8 Mounting: SMD |
товару немає в наявності |