Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

DMN2005UFG.pdf
Код товару: 201744
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMN2005UFG-7 за ціною від 6.35 грн до 64.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Diodes Zetex dmn2005ufg.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+7.31 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Diodes Zetex dmn2005ufg.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1656+8.52 грн
1906+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 1656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Diodes Incorporated DMN2005UFG.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.94 грн
4000+14.07 грн
6000+13.42 грн
10000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Diodes Zetex dmn2005ufg.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Diodes Incorporated DMN2005UFG.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.17 грн
10+38.42 грн
100+25.02 грн
500+18.06 грн
1000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Diodes Incorporated DMN2005UFG.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 DIODES INC. DMN2005UFG.pdf Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 DIODES INC. DMN2005UFG.pdf Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 dmn2005ufg.pdf
DMN2005UFG-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
609+7.31 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 dmn2005ufg.pdf
DMN2005UFG-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1656+8.52 грн
1906+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 1656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG.pdf
DMN2005UFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+15.94 грн
4000+14.07 грн
6000+13.42 грн
10000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 dmn2005ufg.pdf
DMN2005UFG-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG.pdf
DMN2005UFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.17 грн
10+38.42 грн
100+25.02 грн
500+18.06 грн
1000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG.pdf
DMN2005UFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG.pdf
DMN2005UFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG.pdf
DMN2005UFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

470 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-470KR – Hitano)
Код товару: 123549
Додати до обраних Обраний товар
470 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-470KR – Hitano)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 470 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 19215 шт
  • 19215 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
47 kOhm 5% 3W вив. (MFR300SSJTB-47KR-Hitano)
Код товару: 55394
Додати до обраних Обраний товар
MFRSS_series_20140707.pdf
47 kOhm 5% 3W вив. (MFR300SSJTB-47KR-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 3W
Номінал: 47 кОм
Точність і ТКО: ±5%, ±250ppm
P ном., Вт: 3 Вт
U, роб.: 500 В
Габарити: 11x4 мм; D вив. = 0,8 мм
Тип: метало-плівкові мініатюрні
-55...+155°С
у наявності: 1272 шт
  • 1031 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 41 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 90 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 100 шт
  • 100 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+3.00 грн
100+2.60 грн
1000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10uH 10% SMD 1812 (CM453232-100KL-Bourns)
Код товару: 44004
Додати до обраних Обраний товар
10uH 10% SMD 1812 (CM453232-100KL-Bourns)
Виробник: Bourns
Індуктивності, дроселі > Індуктивності SMD інші
Номінал: 10 мкГн
Точність: ±10%
Габарити або типорозмір: 1812
Опис і характеристики: дротова, струм 250 mA, частота власних коливань 20 MHz
Номінальний струм: 250 мА
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+4.10 грн
100+3.70 грн
1000+2.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
140 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-140KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 39572
Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
140 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-140KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 140 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 14860 шт
  • 14860 шт - склад
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384-C5V6
Код товару: 26551
Додати до обраних Обраний товар
BZX384.pdf
BZX384-C5V6
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-323
Напруга стабілізації Vz, В: 5,6 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,3 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 1,2 мВ/K
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+2.00 грн
100+1.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.