Продукція > DIODES ZETEX > DMN2005UFG-7
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7 Diodes Zetex

dmn2005ufg.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
609+12.41 грн
1000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 609
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2005UFG-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.05W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN2005UFG-7 за ціною від 12.54 грн до 44.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2005ufg.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
913+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 913
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2005UFG.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+14.68 грн
4000+13.88 грн
6000+13.47 грн
10000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2005ufg.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0007771420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.82 грн
500+16.02 грн
1000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2005UFG.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
на замовлення 38342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
14+22.15 грн
100+17.23 грн
500+14.24 грн
1000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0007771420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.09 грн
35+24.18 грн
100+18.82 грн
500+16.02 грн
1000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0007771420_1-2542986.pdf MOSFET 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.72 грн
10+37.90 грн
100+23.03 грн
500+19.64 грн
1000+13.90 грн
2000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7
Код товару: 201744
Додати до обраних Обраний товар

DMN2005UFG.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2005ufg.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Виробник : Diodes Inc dmn2005ufg.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2005UFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2005UFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.