DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13 Diodes Incorporated


DMN2005UPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.53 грн
5000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2005UPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN2005UPS-13 за ціною від 17.85 грн до 64.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS-13 Виробник : Diodes Zetex dmn2005ups.pdf 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS-13 Виробник : Diodes Zetex dmn2005ups.pdf 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS-13 Виробник : Diodes Zetex dmn2005ups.pdf 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+26.34 грн
24+25.33 грн
100+23.10 грн
500+21.13 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011396950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.79 грн
500+28.89 грн
1000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2005UPS.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.07 грн
10+48.59 грн
100+37.83 грн
500+30.09 грн
1000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011396950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+63.79 грн
16+52.57 грн
100+38.79 грн
500+28.89 грн
1000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011396950_1-2543545.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.63 грн
10+52.45 грн
100+35.46 грн
500+30.02 грн
1000+24.50 грн
2500+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS-13 Виробник : Diodes Inc dmn2005ups.pdf 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2005UPS.pdf DMN2005UPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.