DMN2005UPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.38 грн |
| 5000+ | 23.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2005UPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMN2005UPS-13 за ціною від 22.08 грн до 103.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2005UPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2005UPS-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V |
на замовлення 7375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2005UPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2005UPS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A |
на замовлення 2367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DMN2005UPS-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 37.74 грн |
| 500+ | 27.35 грн |
| 1000+ | 22.93 грн |
| DMN2005UPS-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.71 грн |
| 10+ | 48.30 грн |
| 100+ | 37.61 грн |
| 500+ | 29.91 грн |
| 1000+ | 24.36 грн |
| DMN2005UPS-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 79.42 грн |
| 17+ | 50.79 грн |
| 100+ | 37.74 грн |
| 500+ | 27.35 грн |
| 1000+ | 22.93 грн |
| DMN2005UPS-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.38 грн |
| 10+ | 60.57 грн |
| 100+ | 37.06 грн |
| 500+ | 29.19 грн |
| 1000+ | 26.58 грн |
| 2500+ | 23.70 грн |
| 5000+ | 22.08 грн |