DMN2005UPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.53 грн |
| 5000+ | 23.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2005UPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN2005UPS-13 за ціною від 17.85 грн до 64.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2005UPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2005UPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2005UPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2005UPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2005UPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V |
на замовлення 7375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2005UPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2005UPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A |
на замовлення 2454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2005UPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMN2005UPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 15A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 2.5W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 142nC кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMN2005UPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 15A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 2.5W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 142nC |
товару немає в наявності |