Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2008LFU-7
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated

DMN2008LFU.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.82 грн
6000+15.82 грн
9000+15.45 грн
15000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A, Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B), Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN2008LFU-7 за ціною від 14.86 грн до 66.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2008LFU-7 DMN2008LFU-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2008LFU.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.89 грн
10+41.12 грн
100+24.79 грн
500+20.75 грн
1000+17.66 грн
3000+15.67 грн
6000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7 DMN2008LFU-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2008LFU.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 63710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.05 грн
10+41.77 грн
100+27.98 грн
500+20.57 грн
1000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7 DMN2008LFU-7 Виробник : Diodes Inc dmn2008lfu.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2008LFU.pdf DMN2008LFU-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.