Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2008LFU-7
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated

DMN2008LFU.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.59 грн
6000+16.50 грн
9000+16.11 грн
15000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2008LFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 14.5 A, 14.5 A, 0.0054 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2030, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0054ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN2008LFU-7 за ціною від 15.50 грн до 70.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2008LFU-7 DMN2008LFU-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006455673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2008LFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 14.5 A, 14.5 A, 0.0054 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.28 грн
500+24.46 грн
1000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7 DMN2008LFU-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2008LFU.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.24 грн
10+43.86 грн
100+25.86 грн
500+21.10 грн
1000+19.11 грн
3000+15.96 грн
6000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7 DMN2008LFU-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2008LFU.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 63710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.89 грн
10+43.56 грн
100+29.18 грн
500+21.45 грн
1000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7 DMN2008LFU-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006455673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2008LFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 14.5 A, 14.5 A, 0.0054 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+70.84 грн
19+47.60 грн
100+32.28 грн
500+24.46 грн
1000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7 DMN2008LFU-7 Виробник : Diodes Inc dmn2008lfu.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.