Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2009USS-13
DMN2009USS-13

DMN2009USS-13 Diodes Incorporated

DMN2009USS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.21 грн
5000+14.50 грн
7500+14.48 грн
12500+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2009USS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN2009USS-13 за ціною від 14.34 грн до 49.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2009USS-13 DMN2009USS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2009USS.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V
на замовлення 67255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.08 грн
10+36.55 грн
100+25.07 грн
500+19.87 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13 DMN2009USS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0007740067_1-2542953.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.12 грн
10+42.35 грн
100+25.13 грн
500+21.05 грн
1000+17.88 грн
2500+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2009USS.pdf DMN2009USS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.