DMN2009USS-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.98 грн |
| 500+ | 23.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2009USS-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN2009USS-13 за ціною від 14.34 грн до 50.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2009USS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V |
на замовлення 3251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2009USS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 6594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2009USS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2009USS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |