Продукція > DIODES INC. > DMN2009USS-13
DMN2009USS-13

DMN2009USS-13 DIODES INC.

DIOD-S-A0007740067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2009USS-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN2009USS-13 за ціною від 13.36 грн до 80.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2009USS-13 DMN2009USS-13 Diodes Incorporated DMN2009USS.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.72 грн
10+35.58 грн
100+24.59 грн
500+18.95 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13 DMN2009USS-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0007740067_1-2542953.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.78 грн
10+39.47 грн
100+23.42 грн
500+19.62 грн
1000+16.67 грн
2500+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13 DMN2009USS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007740067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.32 грн
17+49.56 грн
100+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13 DMN2009USS.pdf
DMN2009USS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.72 грн
10+35.58 грн
100+24.59 грн
500+18.95 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13 DIOD_S_A0007740067_1-2542953.pdf
DMN2009USS-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+45.78 грн
10+39.47 грн
100+23.42 грн
500+19.62 грн
1000+16.67 грн
2500+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13 DIOD-S-A0007740067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2009USS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+80.32 грн
17+49.56 грн
100+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.