Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2011UFDF-7
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7 Diodes Incorporated

DMN2011UFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2011UFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN2011UFDF-7 за ціною від 10.97 грн до 55.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2011UFDF-7 DMN2011UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009865555_1-2543447.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.82 грн
12+30.97 грн
100+18.34 грн
500+15.50 грн
1000+13.20 грн
3000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7 DMN2011UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2011UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.61 грн
10+33.17 грн
100+21.36 грн
500+15.29 грн
1000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2011UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 11.4A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.