Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2011UFDF-7
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7 Diodes Incorporated

DMN2011UFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2011UFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN2011UFDF-7 за ціною від 10.80 грн до 51.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2011UFDF-7 DMN2011UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009865555_1-2543447.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.06 грн
12+30.47 грн
100+18.04 грн
500+15.25 грн
1000+12.98 грн
3000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7 DMN2011UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2011UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 4204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.45 грн
11+30.90 грн
100+19.87 грн
500+14.20 грн
1000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2011UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 11.4A
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 35mΩ
Pulsed drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.