Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2011UFDF-7
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7 Diodes Incorporated

DMN2011UFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.04 грн
6000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2011UFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN2011UFDF-7 за ціною від 10.49 грн до 54.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2011UFDF-7 DMN2011UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009865555_1-2543447.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.78 грн
12+29.62 грн
100+17.54 грн
500+14.82 грн
1000+12.62 грн
3000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7 DMN2011UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2011UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 7594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.78 грн
10+32.49 грн
100+20.40 грн
500+14.94 грн
1000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2011UFDF.pdf DMN2011UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.