Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2011UFX-7
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7 Diodes Incorporated

DMN2011UFX.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.04 грн
6000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2011UFX-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN2050-4, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN2011UFX-7 за ціною від 21.52 грн до 78.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2011UFX-7 DMN2011UFX-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2011UFX.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.86 грн
10+45.33 грн
100+31.34 грн
500+23.47 грн
1000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFX-7 DMN2011UFX-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2011UFX.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.94 грн
10+52.50 грн
100+31.56 грн
500+27.23 грн
1000+23.04 грн
3000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFX-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2011UFX.pdf DMN2011UFX-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.