DMN2012UCA6-7

DMN2012UCA6-7 Diodes Incorporated


DMN2012UCA6.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 24V 13A X3-DSN2718
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2012UCA6-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 24V 13A X3-DSN2718, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 820mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: X3-DSN2718-6.

Інші пропозиції DMN2012UCA6-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2012UCA6-7 Виробник : Diodes Incorporated diod_s_a0009691571_1-2265388.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.