DMN2013UFDE-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 46.51 грн |
| 500+ | 41.36 грн |
| 1000+ | 37.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2013UFDE-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.03W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN2013UFDE-7 за ціною від 11.69 грн до 59.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2013UFDE-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN2013UFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K |
на замовлення 1667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN2013UFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
DMN2013UFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN |
товару немає в наявності |