DMN2014LHAB-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 11.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2014LHAB-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2014LHAB-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.01 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2030, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN2014LHAB-13 за ціною від 10.70 грн до 66.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2014LHAB-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2014LHAB-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.01 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2030 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2014LHAB-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2014LHAB-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2014LHAB-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.01 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2030 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN2014LHAB-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 T&R 10K |
товару немає в наявності |