DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.44 грн |
| 10+ | 33.73 грн |
| 100+ | 21.79 грн |
| 500+ | 15.62 грн |
| 1000+ | 14.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 800mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B), Part Status: Active.
Інші пропозиції DMN2014LHAB-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF |
на замовлення 2763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN2014LHAB-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF
MOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)