Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2014LHAB-7
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated

DMN2014LHAB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.73 грн
10+36.01 грн
100+23.39 грн
500+18.34 грн
1000+14.19 грн
3000+12.90 грн
9000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 800mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B), Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN2014LHAB-7 за ціною від 15.09 грн до 60.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2014LHAB-7 DMN2014LHAB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2014LHAB.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.40 грн
10+36.16 грн
100+23.39 грн
500+16.77 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2014LHAB.pdf DMN2014LHAB-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7 DMN2014LHAB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2014LHAB.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.