Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2015UFDE-7
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7 Diodes Incorporated

DMN2015UFDE.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.47 грн
6000+11.12 грн
9000+10.66 грн
15000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2015UFDE-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerUDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN2015UFDE-7 за ціною від 14.38 грн до 57.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN2015UFDE-7 DMN2015UFDE-7 Diodes Incorporated DMN2015UFDE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
на замовлення 138015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.39 грн
11+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7 DMN2015UFDE-7 Diodes Incorporated DMN2015UFDE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 140960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.34 грн
10+34.47 грн
100+22.28 грн
500+15.97 грн
1000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7 DMN2015UFDE-7 Diodes Incorporated DMN2015UFDE.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7 DMN2015UFDE.pdf
DMN2015UFDE-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
на замовлення 138015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.39 грн
11+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7 DMN2015UFDE.pdf
DMN2015UFDE-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 140960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.34 грн
10+34.47 грн
100+22.28 грн
500+15.97 грн
1000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7 DMN2015UFDE.pdf
DMN2015UFDE-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.