Продукція > DIODES INC. > DMN2015UFDF-7
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7 DIODES INC.

DMN2015UFDF.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.0068 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.65 грн
500+10.47 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2015UFDF-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.0068 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN2015UFDF-7 за ціною від 7.34 грн до 39.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2015UFDF-7 DMN2015UFDF-7 Виробник : DIODES INC. DMN2015UFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.0068 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.08 грн
38+22.23 грн
100+14.65 грн
500+10.47 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 DMN2015UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691746_1-2543287.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.81 грн
13+27.09 грн
100+16.07 грн
500+12.55 грн
1000+11.38 грн
3000+9.69 грн
9000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2015UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 Виробник : Diodes Inc dmn2015ufdf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 11.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2015UFDF.pdf DMN2015UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.