Продукція > DIODES INC. > DMN2015UFDF-7
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7 DIODES INC.

DMN2015UFDF.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.77 грн
500+13.49 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2015UFDF-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN2015UFDF-7 за ціною від 9.22 грн до 48.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2015UFDF-7 DMN2015UFDF-7 Виробник : DIODES INC. DMN2015UFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.58 грн
28+30.85 грн
100+20.77 грн
500+13.49 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 DMN2015UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2015UFDF.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.17 грн
12+31.45 грн
100+18.44 грн
500+14.02 грн
1000+12.57 грн
3000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2015UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 Виробник : Diodes Inc dmn2015ufdf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 11.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2015UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 9.3A
Gate charge: 42.3nC
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.