Продукція > DIODES INC. > DMN2015UFDF-7
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7 DIODES INC.

3199744.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.25 грн
500+13.79 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2015UFDF-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm.

Інші пропозиції DMN2015UFDF-7 за ціною від 7.60 грн до 52.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2015UFDF-7 DMN2015UFDF-7 Diodes Incorporated DMN2015UFDF.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.92 грн
10+32.51 грн
100+18.21 грн
500+13.85 грн
1000+12.38 грн
3000+10.62 грн
6000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 DMN2015UFDF-7 DIODES INC. 3199744.pdf Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.92 грн
25+32.98 грн
100+21.25 грн
500+13.79 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 Diodes Incorporated DMN2015UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439 pF @ 10 V
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.87 грн
6000+9.58 грн
9000+9.12 грн
15000+8.08 грн
21000+7.80 грн
30000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 Diodes Incorporated DMN2015UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439 pF @ 10 V
на замовлення 194767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.26 грн
11+28.72 грн
100+18.47 грн
500+13.17 грн
1000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 DMN2015UFDF.pdf
DMN2015UFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.92 грн
10+32.51 грн
100+18.21 грн
500+13.85 грн
1000+12.38 грн
3000+10.62 грн
6000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 3199744.pdf
DMN2015UFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.92 грн
25+32.98 грн
100+21.25 грн
500+13.79 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 DMN2015UFDF.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439 pF @ 10 V
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.87 грн
6000+9.58 грн
9000+9.12 грн
15000+8.08 грн
21000+7.80 грн
30000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 DMN2015UFDF.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439 pF @ 10 V
на замовлення 194767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.26 грн
11+28.72 грн
100+18.47 грн
500+13.17 грн
1000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.