на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.52 грн |
| 12+ | 26.28 грн |
| 100+ | 15.92 грн |
| 500+ | 12.42 грн |
| 1000+ | 10.11 грн |
| 3000+ | 8.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2015UFDF-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate-source voltage: ±12V, Case: U-DFN2020-6, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 9.3A, On-state resistance: 50mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.5W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 42.3nC, Kind of channel: enhanced, Pulsed drain current: 70A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DMN2015UFDF-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN2015UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
| DMN2015UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±12V Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.3A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 42.3nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 70A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| DMN2015UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±12V Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.3A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 42.3nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 70A |
товар відсутній |