DMN2015UFDF-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 20.92 грн |
| 500+ | 13.59 грн |
| 1000+ | 11.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2015UFDF-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN2015UFDF-7 за ціною від 7.98 грн до 50.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2015UFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2015UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 2605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN2015UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439 pF @ 10 V |
на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2015UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439 pF @ 10 V |
на замовлення 194767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2015UFDF-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 11.6A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMN2015UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.3A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 0.5W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42.3nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |