DMN2016LFG-7 Diodes Incorporated
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.40 грн |
| 10+ | 44.10 грн |
| 100+ | 27.48 грн |
| 500+ | 21.44 грн |
| 1000+ | 17.44 грн |
| 3000+ | 14.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2016LFG-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 30A; 770mW, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 0.77W, Case: U-DFN3030-8, Mounting: SMD, Kind of package: 7 inch reel; tape, Drain-source voltage: 20V, Gate-source voltage: ±8V, Drain current: 4.1A, Gate charge: 16nC, On-state resistance: 30mΩ, Pulsed drain current: 30A, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції DMN2016LFG-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2016LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN |
товару немає в наявності |
|
|
|
DMN2016LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN |
товару немає в наявності |
|
| DMN2016LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 30A; 770mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.77W Case: U-DFN3030-8 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±8V Drain current: 4.1A Gate charge: 16nC On-state resistance: 30mΩ Pulsed drain current: 30A Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |