Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2020LSN-7
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated

ds31946.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.31 грн
6000+8.59 грн
9000+7.73 грн
30000+7.15 грн
75000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 610mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMN2020LSN-7 за ціною від 6.79 грн до 43.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Виробник : DIODES INC. DIODS13782-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.07 грн
500+14.53 грн
1000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Виробник : Diodes Zetex ds31946.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
490+24.81 грн
786+15.45 грн
819+14.83 грн
854+13.71 грн
1473+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31946.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.46 грн
20+20.21 грн
50+13.82 грн
100+11.84 грн
130+7.18 грн
358+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31946.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
на замовлення 90541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.44 грн
13+25.74 грн
100+15.47 грн
500+13.44 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Виробник : Diodes Zetex ds31946.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+37.68 грн
24+29.70 грн
27+26.58 грн
100+15.97 грн
250+14.19 грн
500+13.06 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31946.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.75 грн
12+25.19 грн
50+16.58 грн
100+14.21 грн
130+8.62 грн
358+8.15 грн
6000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31946.pdf MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL
на замовлення 12263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.32 грн
16+22.84 грн
100+11.75 грн
500+10.99 грн
1000+7.88 грн
3000+6.97 грн
6000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Виробник : DIODES INC. DIODS13782-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.36 грн
27+31.89 грн
100+20.07 грн
500+14.53 грн
1000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Виробник : Diodes Zetex ds31946.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Виробник : Diodes Inc ds31946.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.