DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.02 грн |
| 6000+ | 8.32 грн |
| 9000+ | 7.49 грн |
| 30000+ | 6.92 грн |
| 75000+ | 6.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 610mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN2020LSN-7 за ціною від 6.58 грн до 43.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2020LSN-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2020LSN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 2318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2020LSN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 2318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2020LSN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V |
на замовлення 90541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2020LSN-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2020LSN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL |
на замовлення 16912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN2020LSN-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2644 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
DMN2020LSN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN2020LSN-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |