DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.92 грн |
| 6000+ | 8.23 грн |
| 9000+ | 7.41 грн |
| 30000+ | 6.85 грн |
| 75000+ | 6.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-59-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMN2020LSN-7 за ціною від 8.76 грн до 50.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2020LSN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V |
на замовлення 90541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN2020LSN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL |
на замовлення 3283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|