DMN2020UFCL-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.46 грн |
| 6000+ | 9.78 грн |
| 9000+ | 8.89 грн |
| 15000+ | 8.32 грн |
| 21000+ | 8.02 грн |
| 30000+ | 7.89 грн |
| 75000+ | 7.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2020UFCL-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2020UFCL-7 за ціною від 7.95 грн до 47.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2020UFCL-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUFDFN |
на замовлення 1148299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2020UFCL-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC |
на замовлення 6716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DMN2020UFCL-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
на замовлення 1148299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.51 грн |
| 12+ | 27.27 грн |
| 100+ | 18.58 грн |
| 500+ | 13.22 грн |
| 1000+ | 11.86 грн |
| DMN2020UFCL-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC
MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC
на замовлення 6716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.26 грн |
| 12+ | 28.55 грн |
| 100+ | 15.89 грн |
| 500+ | 12.10 грн |
| 1000+ | 10.83 грн |
| 3000+ | 9.70 грн |
| 6000+ | 7.95 грн |