Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2022UCA4-7

DMN2022UCA4-7 Diodes Incorporated

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1438pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN1717-4

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	16.06 грн
6000+	14.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMN2022UCA4-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1438pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA, Supplier Device Package: X4-DSN1717-4.

Інші пропозиції DMN2022UCA4-7

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	DMN2022UCA4-7	Виробник : Diodes Zetex	MOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1717-4 T&R 3K	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	DMN2022UCA4-7	Виробник : Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-4 T&R 3K	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.